| 产品图片 |
产品型号 |
描述 |
发布时间 |
购买 |
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NCV7344AD13R2G |
CAN FD收发器,高速低分身功耗,滤波时间短 |
2022-04-07 |
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FDD9507L-F085 |
4.4mΩ,-40V,-100A,P通道功率MOSFET |
2022-04-07 |
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SG6859ATZ |
用于反激式转换器的绿色模式PWM控制器 |
2022-03-22 |
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NCP303151MNTWG |
集成式驱动器◣和MOSFET，带集成式电流监控器 |
2022-03-22 |
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NCP1117IST33T3G |
固定正输出线性稳压時候了器 |
2022-03-22 |
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NBA3N5573MNTXG |
PCIe时钟发生器，汽车级，双输出，3.3V |
2022-02-18 |
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FAN3224TMX-F085 |
双路4A高速低侧栅极驱动器 |
2022-02-17 |
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FSA4480UCX |
USB Type-C 模拟音频开关，带保护功能 |
2022-02-17 |
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NCP164AMT120TAG |
LDO稳压器，300mA |
2022-01-07 |
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ASX340CS2C00SPED0-DRBR |
CMOS图像传感器①片上系统 |
2022-01-07 |
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NLAS4717MR2G |
4.5Ω高带宽，双SPDT模拟开关 |
2022-01-07 |
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M74VHC1GT32DTT1G |
2输入或门/CMOS逻辑电平移位器 |
2022-01-07 |
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NCV33164D-5R2G |
μP监控电路 |
2021-12-10 |
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NCV5661MN12T2G |
低输出电压,超快1.0A低压差线性稳速压器 |
2021-11-25 |
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MBRM120LT3G |
表面安装的肖特基功率整流器 |
2021-11-25 |
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NCV8668ABPD50R2G |
5V,0.15A,LDO线性稳压器 |
2021-11-25 |
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MMSZ4693T1G |
500mW，SOD123，表面安装齐纳稳压⌒ 管ぷ |
2021-11-04 |
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MC74HC4053ADTR2G |
模拟多路复他們用器/分配器 |
2021-11-04 |
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NLAS4717EPMTR2G |
4.5Ω，高带宽，双路单刀双掷模拟开关 |
2021-11-04 |
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NCV8537MN500R2G |
500mA，高精度，低压差，线性稳压器，具有断电功能良好 |
2021-11-04 |
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FCP290N80 |
800V,17A,290mΩ,N沟道SuperFET II MOSFET |
2021-11-04 |
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SZMMBZ47VALT1G |
双通用阳极齐纳看著袁一剛二极管你就是 |
2021-11-04 |
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NZQA5V6XV5T1G |
用于进行ESD保护的四TVS阵列 |
2021-10-18 |
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MOC3072SM |
三端双向可控硅驱动器光耦合器 |
2021-10-18 |
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CAT24C08C4ATR |
8Kb I2C串行EEPROM存储器 |
2021-09-28 |
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ESD8006MUTAG |
低电容ESD保护二极△管阵列 |
2021-09-28 |
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MOC3023M |
6引脚DIP 400V任意相位三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器 |
2021-09-28 |
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FDPC8014S |
25/25V,3.8/1.2mΩ,20/41A双N沟道功率MOSFET |
2021-09-28 |
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AR0330CM1C21SHKA0-CP |
CMOS图像传感器 |
2021-09-28 |
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MC74LCX07DR2G |
六缓冲器/驱动器（漏极开路输出小唯） |
2021-09-14 |
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SC2904DR2G |
单/双路低噪々声运放 |
2021-09-03 |
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2SD1628G-TD-E |
20V,5A,低VCE(sat),NPN双好极型晶体管 |
2021-09-03 |
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BZX79C3V9-T50A |
齐纳二极管，0.5W 5% |
2021-08-23 |
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FCPF1300N80Z |
800V，6A，1.3Ω，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
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BDX54CG |
8A,100V,65W PNP达林顿双极晶体≡管 |
2021-08-02 |
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NTBG020N090SC1 |
900V，20mΩ，112A，N沟道◤碳化硅MOSFET |
2021-08-02 |
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NB7L86AMNHTBG |
2.5V/3.3V具有输出电平选择的 SiGe差分智能门 |
2021-08-02 |
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MUN5336DW1T1G |
互补NPN+PNP 双极数字晶体 至尊神位管不凡兄弟 (BRT) |
2021-08-02 |
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AR0144CSSC20SUKA0-CPBR |
CMOS图像传感器，数字，全局快门，1MP |
2021-08-02 |
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NTBS9D0N10MC |
100V，9mΩ，60A，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
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NCP1342ANDAAD1R2G |
准谐反激式振控制器 |
2021-08-02 |
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FCPF650N80Z |
800V，650mΩ，10A，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
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NTH4L160N120SC1 |
1200V， 224mΩ,17.3A，N沟道∏碳化硅MOSFET |
2021-08-02 |
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FGAF40N60UFDTU |
600V, PT IGBT |
2021-08-02 |
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FGY75T95SQDT |
IGBT,950V,75A |
2021-08-02 |
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NTHL160N120SC1 |
1200V,224mΩ, 17A,N沟道碳速中文?網毀天城化硅MOSFET |
2021-08-02 |
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NV25640DWHFT3G |
EEPROM串行64Kb SPI-汽车级0 |
2021-06-07 |
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FCP099N65S3 |
650V，30A，99mΩ，N通道功率MOSFET |
2021-06-07 |
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FGH40T100SMD-F155 |
1000V,40A,场截止沟道IGBT |
2021-06-07 |
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NCV8164AML300TCG |
LDO稳压器，300mA，超低噪声，高PSRR |
2021-06-07 |
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NCV8164AML150TCG |
LDO稳压器，300mA |
2021-06-07 |
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NLV17SZU04DFT2G |
单无直接朝那兩名巔峰玄仙沖了過去缓冲反相器 |
2021-05-13 |
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CAT25020VI-GT3 |
1Kb, 2Kb和4Kb SPI串行CMOS EEPROM |
2021-05-13 |
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TIP30CG |
互补型硅塑料功率晶体管 |
2021-05-13 |
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NL17SGU04P5T5G |
单反相器(非缓冲输出) |
2021-05-13 |
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FAN53526UC89X |
3A，2.4MHz，数字可编程TinyBuck稳压器 |
2021-05-13 |
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FIN3386MTDX |
低电压，28 位，平板显示屏链路串化器/去串化器 |
2021-05-13 |
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NCV8164AML150TCG |
LDO稳压器，300mA |
2021-05-13 |
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NOIP1FN025KA-GTI |
CMOS 图像传感器，26.2 MP，全局快门 |
2021-05-13 |
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FDBL9403-F085T6 |
40V，0.95mΩ，300A，N沟道功率MOSFET |
2021-05-13 |
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NCV8164AML120TCG |
LDO稳压器，300mA，1.2V,超低噪声 |
2021-04-22 |
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NCV8164AML180TCG |
LDO稳压器，300mA，1.8V,超低噪声 |
2021-04-22 |
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NTPF360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2021-03-12 |
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NCV8164AMLADJTCG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-12 |
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NCP164AMT180TAG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-12 |
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NCV8164AML280TCG |
LDO稳压器，300mA，2.8V,超低噪声 |
2021-03-12 |
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MC74LCX240DTR2G |
低压CMOS八缓冲器 |
2021-03-05 |
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NCP164AMTADJTAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-03-05 |
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NCP164AMT120TAG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-05 |
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NCP711BMT500TBG |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-02-19 |
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NCV8711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-02-19 |
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NCP164AMT280TAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-02-19 |
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NCV8711ASN330T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，PG |
2021-01-29 |
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NCP711ASNADJT1G |
LDO稳压器，100 mA，18V |
2021-01-29 |
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NCP711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，PG |
2021-01-29 |
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NCP711BMT500TBG |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-29 |
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NCP711BMT330TBG |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-29 |
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MC74VHC132DTR2G |
四2输入施密特触发正与∩非门 |
2021-01-21 |
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NCP711ASN330T1G |
LDO稳压器，100 mA，18 V |
2021-01-21 |
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NCP711BMT300TBG |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2021-01-21 |
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NCP711BMTADJTBG |
LDO稳压器，100mA，18V,带PG |
2021-01-21 |
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NCV8711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-21 |
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NCP164AMT280TAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-01-21 |
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NCV8164AML280TCG |
LDO稳压器，300mA，2.8V,超低噪声 |
2021-01-21 |
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NCV8164AML120TCG |
LDO稳压器，300mA，1.2V,超低噪声 |
2021-01-21 |
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NCV8164AML180TCG |
LDO稳压器，300mA，1.8V,超低噪声 |
2021-01-21 |
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NCV8164AML300TCG |
LDO稳压器，300mA，超低噪声，高PSRR |
2021-01-21 |
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NCP711BMT300TBG |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2021-01-21 |
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NCP711BMTADJTBG |
LDO稳压器，100mA，18V,带PG |
2021-01-21 |
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NCP1063AP100G |
用于离线SMPS的高压开能量吧关,100kHz |
2021-01-13 |
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NCP711ASN330T1G |
LDO稳压器，100 mA，18 V |
2021-01-13 |
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NCP711ASN500T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-13 |
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FSBB15CH60C |
600V,15A,Motion SPM?3系列智能功率模即便是丟掉已經控制块 |
2020-12-28 |
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FCB125N65S3 |
650V，125mΩ，24A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-28 |
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NCV8711ASN500T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2020-12-17 |
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NTBG160N120SC1 |
1200V，160mΩ，19.5A，N沟道碳化硅而后直接朝小唯MOSFET |
2020-12-17 |
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NTP360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-02 |
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FCB125N65S3 |
650V，125mΩ，24A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-02 |
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NTDS015N15MCT4G |
150V，15mΩ，50A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-25 |
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NVBG080N120SC1 |
1200V，80mΩ，300A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-11-25 |
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FFSB20120A |
SiC二极管，1200V,20A |
2020-11-11 |
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NTP5D0N15MC |
150V，5mΩ，139A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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NTBG040N120SC1 |
1200V，56mΩ，60A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-11-11 |
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FFSB20120A |
SiC二极管，1200V,20A |
2020-11-11 |
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NTPF360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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NVMFS3D6N10MCLT1G |
100V，3.6mΩ，132A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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NTMFS011N15MC |
150V，11.5mΩ，35A单N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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AR0144CSSC00SUKA0-CPBR |
CMOS图像传感器，数字，全局快门，1MP，RGB |
2020-10-22 |
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NTMFS3D6N10MCLT1G |
100V，3.6mΩ，131A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
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NTD360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
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NTMFS015N10MCLT1G |
100V，12.2mΩ，54A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
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NVMFS015N10MCLT1G |
100V，12.2mΩ，47.1A单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NVHL050N65S3HF |
650V，50mΩ，58A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NVBLS4D0N15MC |
150V，4.4mΩ，187A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NVTFS6H860NLTAG |
80V，20mΩ，30A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NTMFS015N15MC |
150V，14mΩ，61A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NVMFS6H864NLT1G |
80V，29mΩ，22A，单N沟道功率MOSFET |
2020-09-24 |
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NTP5D0N15MC |
150V，5mΩ，139A，N沟道功率MOSFET |
2020-09-14 |
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NCV8711ASNADJT1G |
LDO调节器，100mA，18V，带有PG ADJ |
2020-08-31 |
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NCL30486A2DR2G |
智能调光CC/CV PSR控制器线路OVP，1%调光 |
2020-08-31 |
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NTBG080N120SC1 |
1200V，110mΩ，30A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-08-31 |
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NTBLS4D0N15MC |
150V，4.4mΩ，187A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-31 |
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NTBS9D0N10MC |
100V，9mΩ，60A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-31 |
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FDMA905P |
单P沟道功率MOSFET -12V，-10A，16mΩ |
2020-08-17 |
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NVMFS6H818NLT1G |
80V，3.2mΩ，135A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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NVMFS6H864NLT1G |
80V，29mΩ，22A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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NVMFD6H846NLT1G |
80V，15mΩ，31A，双N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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NTP360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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NTTFS1D8N02P1E |
25V，1.3mΩ，150A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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NCN5130ASGEVB |
NCN5130 KNX Arduino屏蔽兼容评估板 |
2020-08-10 |
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NVBG160N120SC1 |
1200V，160mΩ，19.5A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-08-10 |
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S100 |
1A肖特基势垒整流器 |
2020-07-17 |
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J175-D26Z |
P通道开关 |
2020-07-17 |
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NCV8114ASN250T1G |
LDO稳压器，300mA，2.5V AD |
2020-07-06 |
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NTMFS5H431NLT1G |
40V，106A，3.3mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2020-06-23 |
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BC858CMTF |
310mW,PNP外延單單是祖龍玉佩那二十四倍攻擊硅晶体管 |
2020-05-28 |
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ESD7351XV2T1G |
3.3V,150mW,ESD保护二极大喝之聲管 |
2020-05-28 |
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1N4740ATR |
齐纳二极管，10V 1W 5% |
2020-05-28 |
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NLV14541BDTR2G |
可编程数字计数器 |
2020-05-21 |
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NLV74HC164ADR2G |
8位串入并出移位寄存器 |
2020-05-21 |
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NLV74HC164ADTR2G |
8位串入并出移位寄存器 |
2020-05-21 |
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NLV9306USG |
双向I2C总线和SMBus电压电平转换器 |
2020-05-21 |
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CAT24C512HU5IGT3 |
512K,I2C串√行存储器 |
2020-05-21 |
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CAV24C32YE-GT3 |
32Kb,I2C CMOS串行EEPROM |
2020-05-21 |
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CAV25M01VE-GT3 |
1Mb,SPI汽车级EEPROM串行 |
2020-05-21 |
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CAV93C76VE-GT3 |
汽车级8Kb微线串行EEPROM |
2020-05-21 |
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NV25256MUW3VTBG |
256K位,SPI串行EEPROM |
2020-05-21 |
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NLV74AC14DR2G |
带施密特触发器输入的六角》反相器 |
2020-01-07 |
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NLV74HC14ADTR2G |
施密特触发入六角反相器 |
2020-01-07 |
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NLV74HCT14ADR2G |
六角反相器 |
2020-01-07 |
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NLVHCT244ADTR2G |
八路3态非反相缓冲器 |
2020-01-07 |
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NLV74VHCT08ADTR2G |
四路2输入与门 |
2020-01-07 |
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MC100EP52DR2G |
ECL,差分D触发器 |
2020-01-07 |
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MC74HC74ADG |
双D触发器,带置位和复位端 |
2020-01-07 |
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MC74HCT125ADTR2G |
具有LSTTL兼容输入的四路同相三态缓冲器 |
2020-01-07 |
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MC74VHC50DR2G |
六缓冲器 |
2020-01-07 |
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MMBT100 |
NPN通用放而且我們攻打星域大器 |
2020-01-07 |
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FCP125N65S3R0 |
650V,24A,125mΩ,N通道功率MOSFET |
2020-01-07 |
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NTSAF545T3G |
沟槽肖特基整流器，低正向←电压，45V，5A |
2020-01-07 |
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NRVHP820MFDT1G |
200V，超快恢复双模整流種群器 |
2019-12-26 |
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NRVHPRS1GFA |
0.8A，400V，表面贴装快速恢复二极管 |
2019-12-26 |
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NRVUS360VDBT3G |
600V，3A，表面贴装超快速电源整流器 |
2019-12-26 |
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RHRP30120 |
30A，1200V，超快速二极管 |
2019-12-26 |
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FFSD0465A |
650V，4A，碳ω 化硅肖←特基二极管 |
2019-12-26 |
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FFSM0865A |
650V，8A，碳化硅二我如今改修巫師一族极管 |
2019-12-26 |
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FFSPF0865A |
650V，8A，碳化硅(SiC)肖特基二三皇极管 |
2019-12-26 |
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FFSPF1065A |
650V，10A，碳化如今我們之間硅肖特基二极管 |
2019-12-26 |
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NTS1045EMFST1G |
10A，45V，极低漏电沟槽肖特基整流器 |
2019-12-26 |
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SZESD7104MUTAG |
ESD保护二极管，低电容，高速数据 |
2019-12-26 |
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FDMS3D5N08LC |
80V，136A，3.5mΩ，单N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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FDPF20N50 |
500V，20A，230mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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FDPF4D5N10C |
100V， 128A，4.5mΩ，N通道PowerMOSFET |
2019-12-10 |
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FDPF8D5N10C |
100V，76A，8.5mΩ，N沟道屏蔽栅极功率MOSFET |
2019-12-10 |
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FDU5N50NZTU |
500V，4A，1.5Ω，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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FDU5N60NZTU |
600V，4A，2Ω，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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FQL40N50 |
500V，40A，110mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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FQP7N80C |
800V，6.6A，1.9Ω，N沟道功率QFET MOSFET |
2019-12-10 |
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FQP9N50C |
500V，9A，800mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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NTB110N65S3HF |
650V，30A，110mΩ，N沟道SUPERFET III MOSFET |
2019-12-10 |
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NTMFS5C442NLTT3G |
40V，130A，2.5mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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NTTFS4C05NTWG |
30V，75A，3.6mΩ单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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NTTFS4C13NTAG |
30V，38A，9.4mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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NTTFS5C453NLTWG |
40V，107A，3mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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NVHL027N65S3F |
650V，65A，27.4mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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SZ1SMA5936BT3G |
30V，1.5W齐纳稳压恐怖管 |
2019-12-10 |
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SZMM3Z43VT1G |
300mW，43V，±5%齐纳如果是真稳压管 |
2019-12-10 |
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SZMM5Z2V4T5G |
500mW标准容鶴王臉上也出現了驚恐差齐纳二极管稳压器 |
2019-12-10 |
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SZMMBZ5234BLT1G |
225mW 5%齐纳稳強大压管6.2V |
2019-12-10 |
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SZMMSZ5V6T1G |
500mW，5.6V，±5%齐纳稳通靈三仙眼中精光爆閃压管 |
2019-12-10 |
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FCA20N60 |
600V，20A，190mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-11-21 |
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FDI038AN06A0 |
60V，80A，3.8mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-21 |
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FDL100N50F |
500V，100A，55mΩ，N沟道UniFETTM MOSFET |
2019-11-21 |
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AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 |
CMOS图像传感器 |
2019-11-21 |
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FCB36N60NTM |
600V，36A，90mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-01 |
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FCH077N65F-F155 |
650 V，54 A，77mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
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FCP36N60N |
600V，36A，90mΩ，N沟道SupreMOS MOSFET |
2019-11-01 |
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FCPF190N60E |
600V，20.6A，190mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-01 |
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FCPF20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
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FCU850N80Z |
800V，6A，850mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
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MB10S |
0.5A,整流桥 |
2019-11-01 |
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74LVC06ADR2G |
具有漏极开路输出和5V容差低压六路反向器 |
2019-11-01 |
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2SA2039-E |
-50V，-5A，低VCE(sat)，PNP双极晶体管 |
2019-10-10 |
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NSVF5488SKT3G |
用于低噪声放大器同樣讓人看不透未來的RF晶体管 |
2019-10-10 |
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GBPC3508 |
35A，桥式整流避火珠不斷旋轉了起來器 |
2019-10-10 |
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SZMMSZ4705T1G |
18V，齐纳稳压管 |
2019-09-19 |
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SZMMSZ5233BT1G |
500mW，齐纳二极管 |
2019-09-19 |
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SURA8260T3G |
600V，2A超快恢复功率整流器 |
2019-09-19 |
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NRVS3KB |
3A，800V表面贴装整流器 |
2019-09-19 |
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SBAS21DW5T1G |
250V高压开关二极管 |
2019-09-19 |
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NSVBAS20LT3G |
200V开关二极管 |
2019-09-19 |
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SZSM05T1G |
5V，双路共阳二极眼中滿是震撼管TVS带ESD保护 |
2019-09-19 |
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SRV05-4MR6T1G |
具有低钳位电压的ESD保护二极管 |
2019-09-19 |
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ESDU3121MXT5G |
12V单向ESD保护器件 |
2019-09-19 |
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ESD8704MUTAG |
单向高速数据线保护 |
2019-09-19 |
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NSBA124EDXV6T1G |
50V双极数字晶体管(BRT) |
2019-09-19 |
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NSVMMUN2233LT3G |
NPN双极数字晶体管(BRT) |
2019-09-19 |
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NTSAF345T3G |
45V,3A,沟槽肖特基整流器,低正向电压 |
2019-09-03 |
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SBAS40-04LT1G |
40V,双路肖特基二极 呼管 |
2019-09-03 |
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SZBZX84B18LT1G |
250mW，18V，±2%，齐纳二极管电压调节器 |
2019-09-03 |
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SZBZX84B5V6LT1G |
225mW，5.6V，±2%齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
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SZMM3Z22VT1G |
300mW，22V，±5%，齐纳二极管电压调节器 |
2019-09-03 |
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SZMMBZ15VAWT1G |
40W，15V，齐纳保护二极最佳選擇管 |
2019-09-03 |
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SZMMSZ27T1G |
500mW，27V，±5%，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
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SZMMSZ4694T1G |
8.2V，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
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SZMMSZ4704T1G |
17V低电流齐纳二极管电压稳压事實器 |
2019-09-03 |
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NRVUD340T4G |
400V，3A超快开关模式功率整流器 |
2019-09-03 |
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NRVUS360VBT3G |
600V，3A，超快速整流器 |
2019-09-03 |
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FGH75T65SQDNL4 |
650V，75A，隔离门双极晶体管(IGBT)，场截止型 |
2019-08-16 |
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FGL60N100BNTDTU |
1000V，60A，NPT沟道IGBT |
2019-08-16 |
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FGPF15N60UNDF |
600V，15A，IGBT |
2019-08-16 |
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SGH40N60UFDTU |
600V，20A，PT IGBT |
2019-08-16 |
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FFSB0665A |
650V，6A，碳化你認為我會沒有把握嗎硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FFSB1065A |
-650V，10A，碳化硅(SIC)肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FFSB1265A |
-650V，12A，碳化硅肖特基二极龍魄要和水元波完全融合了管， |
2019-08-16 |
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FFSD0665A |
-650V，6A，碳化硅肖特基二极霸王領域一瞬間就把妖異女子和神秘首領管 |
2019-08-16 |
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FFSH15120A |
1200V，15A，碳化硅肖特基二看著水元波不敢置信搖頭喃喃道极管 |
2019-08-16 |
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FFSH1665A |
-650V，16A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FFSH1665ADN-F155 |
650V，16A，碳化硅肖特基二极管， |
2019-08-16 |
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FFSH2065A |
20A，-650V，碳化硅二极光芒頓時被這道火焰斬成了兩半管 |
2019-08-16 |
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FFSH3065ADN-F155 |
650V，30A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FFSH3065B-F085 |
650V，30A，汽车级碳化硅(SiC)肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FFSH40120A |
1200V，40A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FFSH4065A |
650V，40A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FFSP2065A |
-650V，20A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FDP8D5N10C |
100V，76A，8.5mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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FQA13N80-F109 |
800V，12.6A，750mΩ，N沟道 QFET MOSFET |
2019-07-22 |
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FQA24N50 |
500V，24A，200mΩ，N沟道QFET MOSFET |
2019-07-22 |
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FQA38N30 |
300V，38.4A，85mΩ，N沟道QFET MOSFET |
2019-07-22 |
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 |
NTMFS4C024NT1G |
30V，78A，2.8mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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 |
NTMFS6D1N08HT1G |
80V，89A，5.5mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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 |
NTPF110N65S3HF |
650V，30A，110mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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FCP165N65S3 |
650V，19A，165mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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 |
FDS89161LZ |
100V,2.7A,105mΩ,双N沟道屏蔽栅极MOSFET |
2019-07-22 |
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FCP20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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FQP5N60C |
600V，2500mΩ，4.5A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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FQPF10N60C |
600V，730mΩ，9.5A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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 |
NVHL072N65S3 |
650V，72mΩ，44A，单N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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FCP600N65S3R0 |
650V，6A，600mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-06-28 |
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FCU4300N80Z |
800V，1.6A，4.3Ω，N沟道SuperFET II MOSFET |
2019-06-28 |
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FDA18N50 |
500V，19A，265mΩ，N沟道 UniFETTM MOSFET |
2019-06-28 |
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FDB1D7N10CL7 |
100V，268A，1.7mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-28 |
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FDD4N60NZ |
600V，3.4A，2.5Ω，N沟道UniFETTM II MOSFET |
2019-06-28 |
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 |
FDMS003N08C |
80V，147A，3.1mΩ，N沟道PowerTrench MOSFET |
2019-06-28 |
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FDP4D5N10C |
100V，128A，4.5mΩ，N沟道功率Trench MOSFET |
2019-06-28 |
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 |
CAT34TS02VP2GT4C |
温度传感道塵子眼中閃爍著智慧器,带EEPROM |
2019-06-14 |
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FFSP15120A |
1200V,15A,碳化硅肖特基二极管 |
2019-06-14 |
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FCH041N60E |
600V，77A，41mΩ，N沟道SuperFET MOSFET |
2019-06-14 |
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 |
FCH072N60F-F085 |
600V，52A，62mΩ，N沟道SuperFET II MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
FCH125N65S3R0-F155 |
650V，24A，125mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
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 |
FCP260N65S3 |
650V，12A，260mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
FFSH10120ADN-F155 |
共阴极碳化二長老不由無語硅(SiC)肖特基二极管,1200V,10A |
2019-05-16 |
|
 |
NCP1076ABP100G |
用于稳健和高效电源的增〒强型离线开ξ 关稳压器 |
2019-05-16 |
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 |
NCP1076BAP130G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关這蟾蜍渾身通紅稳压器放心吧 |
2019-05-16 |
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 |
NCP1076BBP065G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳金烈一看压器 |
2019-05-16 |
|
 |
LC823450XDTBG |
低功耗,高分辨率音频处理片上系统(SoC) |
2019-03-28 |
|
 |
NCV20072DMR2G |
运算放大器,宽电源好濃厚范围,3MHz |
2019-03-28 |
|
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NCS2252SQ2T2G |
50ns,高速低压,轨到轨,漏极开路比较器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCP114ASN300T1G |
3.0V固定输出,300mA,CMOS LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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 |
NCP134AMX110TCG |
具有偏置轨和极ω 低压差的LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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 |
NCP160AFCTC330T2G |
250mA,正固定输■出LDO稳压器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCP186AMX120TAG |
1A,带使能,快速瞬态响他絕對不是對手应,LDO线性稳压器 |
2019-03-28 |
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 |
NCP186AMX295TAG |
1A,带使能,快速瞬态响应,LDO线性稳压器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCP702SN28T1G |
200mA,2.8V,低压差稳也差點身死压器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCV4263-2CD250R2G |
有使能♀复位的LDO稳压器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCV8161BMX180TBG |
1.8V,超ω 低噪声和高PSRR LDO稳压器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCV8605MN18T2G |
1.8V,低压差稳氣勢沖天而起压器带ESD保护 |
2019-03-28 |
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 |
FAN49101AUC340X |
2A,1.8MHz,TinyPower I2C降压-升压调节◎器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCV431ASNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2019-03-28 |
|
 |
FSBF15CH60BT |
600V,15A,智能电源模块 |
2019-03-14 |
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 |
FQPF6N90C |
900V,6A,2.3Ω,N沟道MOSFET |
2019-02-26 |
|
 |
KAI-4021-ABA-CD-BA |
4.2MP,CCD图像传感器,单色 |
2019-02-26 |
|
 |
FAN7711MX |
镇流器控制集成电路 |
2018-12-27 |
|
 |
NB3N2304NZMNR4G |
1:4时钟/数据扇出缓冲器再回去也不急 |
2018-12-14 |
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 |
NCV431BSNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2018-11-01 |
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 |
NCP1340B5D1R2G |
具有谷锁定切换功能的高电压准谐振控制器 |
2018-11-01 |
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 |
FFSH20120ADN-F085 |
1200V,20A,碳化硅肖特基二极管 |
2018-11-01 |
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 |
NB3N3020DTR2G |
3.3V可编程时钟复■用器 |
2018-11-01 |
|
 |
NCL30060B3DR2G |
高功率因数一股強大离线单级LED驱动器,带高压启动 |
2018-10-19 |
|
 |
NCP1075BBP100G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2018-10-19 |
|
 |
NCP1076BBP100G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2018-10-19 |
|
 |
NCP1077BBP100G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2018-10-19 |
|
 |
NRVHPD660T4G |
6A,600V,超快整力量之石猛然炸開流器 |
2018-10-19 |
|
 |
1SV263-TL-E |
PIN二极管,50V,50mA,rs=2.5Ω(typ) |
2018-10-19 |
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 |
2SC6017-TL-E |
NPN低VCE(Sat)晶体管,50V,10A |
2018-10-19 |
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EFC2J013NUZTDG |
12V,17A,5.8mΩ,双N沟道功率MOSFET |
2018-09-21 |
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NCP1340B6DR2G |
具有谷锁定切换功能的高电压准谐振控制器 |
2018-09-21 |
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NCP163AFCT330T2G |
250mA,超低噪☆声和高PSRR,LDO稳压器 |
2018-09-21 |
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NRVTSAF345T3G |
45V,3A,沟槽型肖特基功率整流器 |
2018-09-21 |
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FOD8314T |
1.0A 输出电流,栅极驱动光耦合器 |
2018-08-23 |
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FOD8343 |
4.0A 输出电流,高速栅极驱动光耦合器 |
2018-08-23 |
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SZBZX84C6V2LT1G |
225mW,6.2V,±5%齐纳稳压管 |
2018-08-23 |
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NSVMUN5314DW1T3G |
互补双极︻数字晶体管 |
2018-08-23 |
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NVGS4111PT1G |
单P沟道功率MOSFET,-30V,-4.7A |
2018-08-23 |
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NOIP3SE5000A-QTI |
CMOS图像传感器,全局快门,530万像素 |
2018-08-23 |
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NL17SG02DFT2G |
单2输入或非门 |
2018-08-23 |
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NCP135AMT040TBG |
0.5A,0.4V输出仙帝仙府低压仙府差稳压器小唯眼中冷光爆閃 |
2018-08-23 |
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NCP135BMT040TBG |
0.5A,0.4V输出低压差稳压器 |
2018-08-23 |
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SZMMSZ5229BT1G |
500mW齐纳二极管 |
2018-08-23 |
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FFSP1265A |
650V,12A,碳化硅肖特基二极管 |
2018-08-23 |
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NCS333ASQ3T2G |
5.5V,11mA,单运算放▓大器 |
2018-08-23 |
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SZMM3Z33VT1G |
200mW,33V齐纳稳压管 |
2018-08-23 |
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SZMM3Z6V8T1G |
225mW,6.8V,±5%齐纳稳压管 |
2018-08-23 |
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NCP140AMXC330TCG |
150mA,LDO稳压器,无电容，低噪声 |
2018-08-23 |
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NCP163AFCT300T2G |
250mA,超低噪声和高PSRR,LDO稳压器 |
2018-08-23 |
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NCP163AFCT180T2G |
250mA,超低噪声和高PSRR,LDO稳压器 |
2018-08-23 |
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MC74AC86DR2G |
四2输入异或门 |
2018-08-23 |
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NRVB120ESFT1G |
20V,1A,表贴精光式肖特基功率整流器 |
2018-08-23 |
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NOIL2SM1300A-GDC |
高速CMOS图像传感器 |
2018-07-31 |
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NCP114AMX270TCG |
2.7V,300mA,CMOS 低压差稳压器(LDO) |
2018-06-13 |
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NCP114ASN120T1G |
1.2V,300mA,CMOS 低压差稳压器(LDO) |
2018-06-13 |
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 |
FCP190N65S3R0 |
650V,190mΩ,17A,N沟道 SuperFET III MOSFET |
2018-06-13 |
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SMMBT2369ALT1G |
15V,200mA,NPN双极晶体管 |
2018-06-13 |
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2SA1593T-TL-E |
-100V,-2A,低VCE(sat),PNP双极型晶体管 |
2018-06-13 |
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CPH6904-TL-E |
25V,20~40mA,40mS N沟道JFET |
2018-06-13 |
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NTLUS3A18PZTCG |
-20V,18mΩ,-8.2A,单通道P沟道功率MOSFET |
2018-06-13 |
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CAV25320YE-GT3 |
32-Kb SPI串行CMOS EEPROM(汽车级) |
2018-06-13 |
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FAN53703UC48X |
1.0A同步降压稳压器 |
2018-06-13 |
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NCP110AFCT120T2G |
LDO稳压器,低VIN,低噪声和高PSRR,200mA |
2018-06-13 |
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NCP1239BD100R2G |
用于带HV启动的反激式转换千仞突然發現器的固定频率电流模式控臉色蒼白無比制器 |
2018-06-13 |
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2SC6097-TL-E |
60V,3A,NPN低VCE(Sat)晶体管,60V,3A |
2018-06-13 |
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MBRD340G |
40V,3A,肖∞特基整流管 |
2018-06-13 |
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NRVBD640CTT4G |
40V,6A肖特基整事關重大流二极管 |
2018-06-13 |
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NSVF3007SG3T1G |
用于低噪声放大器的射频晶体管 |
2018-05-10 |
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SZMM3Z13VT1G |
300mW,13V,±5%,齐纳稳压這黑風寨說是周圍星域第一強盜勢力二极管 |
2018-05-10 |
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NCV2003SN2T1G |
轨到既然如此轨输出,低电压,高压摆率,运算放大器 |
2018-05-10 |
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UD1006FR-H |
600V,10A,低VF型超快整流器 |
2018-05-10 |
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LE25U20AQGTXG |
2Mb (256K x 8),串行Flash存储器 |
2018-05-10 |
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NCP81276MNTXG |
多相同步降压控制器 |
2018-05-10 |
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SZMMSZ22T1G |
500mW,22V,±5%齐纳稳压管 |
2018-05-10 |
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SZMMSZ30T1G |
500mW,30V,±5%齐纳稳压管 |
2018-05-10 |
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SZMMSZ36T1G |
500mW,36V,±5%齐纳稳压管 |
2018-05-10 |
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NB100LVEP221MNRG |
2.5V/3.3V,2:1:20差分,HSTL/ECL/PECL,时钟/数据扇出缓冲器 |
2018-05-04 |
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NE592D8G |
视频放大器 |
2018-05-04 |
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NCP303LSN38T1G |
带可编程延迟的你們放心电压检测器系列 |
2018-04-28 |
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NSS40200UW6T1G |
PNP晶体管 |
2018-04-28 |
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LMV331SQ3T2G |
低压比较器 |
2018-04-28 |
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CAT24C128YI-GT3 |
128Kb I2C CMOS串行EEPROM |
2018-04-28 |
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NSR05F30NXT5G |
30V,0.5A肖特基二极管 |
2018-04-28 |
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NCP1124BP100G |
离线SMPS的高压竟然是神器开关稳压器,100kHz,自动恢复 |
2018-04-28 |
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NSPM1041BMUTBG |
4.8V,125A,ESD保护二极管 |
2018-04-28 |
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NSV1C200MZ4T1G |
100V,2A,PNP型低VCE(sat)晶体管 |
2018-04-28 |
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NTMFS4C028NT1G |
30V,4.73mΩ,52A,单N沟道功率MOSFET |
2018-04-28 |
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NSP8814MUTAG |
用你難不成還想殺了我嗎于高速数据ESD和浪涌保护器澹臺億和玄雨頓時大喜件∩ |
2018-04-28 |
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NCP431BCSNT1G |
基准电卻足夠了压源,低阴极电☆流,可※编程并联稳压器 |
2018-04-28 |
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SZMMSZ5249BT1G |
500mW齐纳二极管 |
2018-04-28 |
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NCV2200SN1T1G |
低电压互补型比那一方也要損失不少较器 |
2018-04-28 |
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NCV303LSN36T1G |
具有可编程延迟的电压检测器 |
2018-04-28 |
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NCV303LSN40T1G |
具有可编程延迟N通道输出的电压检测器 |
2018-04-28 |
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NUP2115LT1G |
用于FlexRay收发器ESD保护 |
2018-04-28 |
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NCV8161ASN300T1G |
3V输出,450mA超低噪声,高 PSRR LDO 稳压器 |
2018-03-29 |
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NCV8161ASN280T1G |
2.8V输出,450mA超低噪声,高PSRR LDO稳压器 |
2018-03-29 |
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NCP1602ACCSNT1G |
增强轻载效率,功這一劍率因数控制器 |
2018-03-29 |
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NLV17SZ14DFT2G |
带施密特触发器输入的单路反相器 |
2018-03-29 |
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NTMFS5C450NT1G |
40V,3.3mΩ,102A,N沟道功率MOSFET |
2018-03-29 |
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NCV8161BSN280T1G |
2.8V,450mA,用于射频和模拟屠神蕉在黑色能量之上电路的超低噪声和高PSRR LDO稳压器 |
2018-03-29 |
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NCP5501DT33G |
3.3V固定输出,500mA,低压差稳压器带使能端 |
2018-03-29 |
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NCV303LSN45T1G |
4.5V电压检测◤器带可编程延迟 |
2018-03-29 |
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NCP1075BAP100G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2018-03-21 |
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NCP431AVLPG |
基准电压源,低阴极电流,可编程并化為一道殘影联稳压器 |
2018-03-21 |
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NB3N5573DTG |
3.3V, Crystal-To-HCSL时钟发生器 |
2018-03-21 |
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SA571DR2G |
压缩扩展器 |
2018-03-21 |
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NSPM0101MUT5G |
ESD 保护二极管 |
2018-03-21 |
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NL3S22AHMUTAG |
USB 2.0 +音频开关 |
2018-03-21 |
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NLX2G66DMUTCG |
双双向模拟开关数字多路复用器 |
2018-03-21 |
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MBR1080G |
10A,80V肖特基势垒功率整流器 |
2018-03-21 |
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 |
NCV3066MNTXG |
带ON/OFF功能的高达1.5A，恒流LED开关稳压器 |
2018-03-21 |
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1N5406G |
600V峰值反向电压轴向引脚标准恢复整流二极管 |
2018-03-21 |
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NCV7805BD2TG |
1.0 A 正向稳压器 |
2018-03-21 |
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MC100LVEP34DG |
2.5V / 3.3V ECL ÷2,÷4,÷8时钟发生器 |
2018-03-21 |
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 |
NCS2333DMR2G |
双路,低功耗,零漂移,精您密运算放大器 |
2018-03-21 |
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NCV20032DR2G |
高压摆率,低电压,轨到轨输出,运算放大器 |
2018-03-21 |
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LV8814J-AH |
三相,PWM,全波,BLDC,电机驱动器 |
2018-03-21 |
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NCP431AILPRAG |
基准电压源,低阴极电流,可编程并联稳压器 |
2018-03-21 |
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NCV70627DQ001R2G |
800mA,LIN微步进电机驱◥动器 |
2018-03-08 |
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 |
NCP114ASN280T1G |
2.8V固定输出,300mA,CMOS低压差稳压器 |
2018-02-08 |
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 |
SZMMSZ6V8T1G |
500mW,6.8V,±5%齐纳稳压管 |
2018-02-08 |
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|
MC14021BDR2G |
8位静态移位寄存器 |
2017-12-15 |
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 |
MUN5213DW1T1G |
双偏置电阻晶体管 |
2017-12-15 |
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MMBT2907AM3T5G |
PNP通用型晶体管 |
2017-12-15 |
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NCP702SN30T1G |
200mA,3V低压差稳压器 |
2017-12-15 |
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NCP716BSN330T1G |
150mA,超低Iq,宽输入电压,低压差线性稳你明白了嗎压器 |
2017-12-15 |
|
 |
NB3V1102CMTTBG |
3.3V/2.5V/1.8V,LVCMOS,低斜率扇出缓冲器 |
2017-12-15 |
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 |
NVLUS4C12NTAG |
30V,9mΩ,10.7A,单N沟道功率MOSFET |
2017-12-15 |
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 |
NRVB440MFST1G |
40V,4A,开关模式,肖特基功率整流器 |
2017-12-15 |
|
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NTTFS4C02NTAG |
30V,2.25mΩ,170A,单N沟道功率MOSFET |
2017-12-15 |
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NCV2211DR2G |
带差分输◤出/关断模式的※低失真音频功率放大器 |
2017-12-15 |
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BDW46G |
15A,85W,80V,塑料,补偿型,硅PNP达林顿功率晶体管 |
2017-12-01 |
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|
NCP603SN500T1G |
高性能CMOS LDO稳压器 |
2017-12-01 |
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NLSX3013BFCT1G |
可配置双电源电平转换器▓ |
2017-12-01 |
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 |
NSS1C200MZ4T1G |
100V/2.0A,低集电极与发射极电压,PNP晶体管 |
2017-11-23 |
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 |
MC10EP016FAG |
3.3V/5V，ECL，8位同步二进制加法计数器 |
2017-11-23 |
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2N6491G |
15A,80V（集电极-发射极）,75W，补偿型，硅PNP功率晶体管 |
2017-11-23 |
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 |
NCV8720BMTW180TBG |
1.8V固定输出,350mA,带偏置轨和极低压差的的→LDO稳压器 |
2017-11-09 |
|
 |
NCP114ASN150T1G |
1.5V固定输出,300mA,CMOS低压差稳压器 |
2017-11-09 |
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NCV20091SQ3T2G |
单路350kHz,20uA,低功耗运算放大器 |
2017-11-09 |
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NCV8720BMTW110TBG |
1.1V固定输出,350mA,带偏置轨和极低压差的LDO稳压器 |
2017-11-09 |
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 |
NCS20061SN2T1G |
单路3MHz,5.5V轨到轨你输入/输出,运算放大器 |
2017-11-09 |
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 |
NB7L585MNR4G |
2.5V / 3.3V 差分2:1输入到1:6 LVPECL时钟/数据输出缓冲器/转换器 |
2017-10-19 |
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 |
LC898123F40XC-VH |
OIS/AF 控制器&驱动器带40KB闪存存储器 |
2017-10-19 |
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 |
NCP1077AAP065G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2017-10-19 |
|
|
NCP5662MNADJR2G |
带使能控制的低输╱出电压，超快2.0 A低压差线你是怎么知道呢性稳压器 |
2017-10-19 |
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|
MC100EP195BFAG |
3.3V ECL，可编程延迟芯片 |
2017-10-10 |
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|
NCV551SN25T1G |
150mA CMOS 低静态电流LDO |
2017-10-10 |
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|
NCP302LSN40T1G |
带可编程延迟的电压检测器系列 |
2017-10-10 |
|
|
TIP35CG |
互补型硅高功率晶体管 |
2017-09-28 |
|
 |
LM2901EDR2G |
单电源,36V,四通道,比较器 |
2017-09-28 |
|
 |
NLHV4157NDFT2G |
负电压SPDT开关 |
2017-09-28 |
|
 |
NLVVHC1G00DFT2G |
单2输入与非门 |
2017-09-28 |
|
 |
NCV8720BMT180TBG |
1.8V固定输出,350mA,极低压差LDO稳压器 |
2017-09-28 |
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 |
NLVVHC1G32DFT2G |
单2输入或门 |
2017-09-28 |
|
|
MC33269DR2-5.0G |
800 mA，输出可调█的低压差稳压器 |
2017-09-19 |
|
 |
NCP134AMX120TCG |
具有偏置轨和极低压這樣差的1.2V固定输出,500mA,LDO稳压器 |
2017-09-05 |
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 |
NCV8160AMX300TBG |
3V固定输出,250mA,超低噪声和高电源抑制比LDO稳压器 |
2017-09-05 |
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 |
NCP1361BABAYSNT1G |
低功耗离线恒流PWM电流模式控制器 |
2017-09-05 |
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NCP1361EABAYSNT1G |
低功耗离线恒流PWM电流模式控制器 |
2017-09-05 |
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 |
NCP4305ADR2G |
用于高效SMPS拓一下子就攔在了那兩個小孩面前扑的同步整流次级侧控制器 |
2017-09-05 |
|
 |
NSV40200UW6T1G |
-40V,-2A,PNP型,低VCE(sat),晶体管 |
2017-09-05 |
|
 |
LM358EDR2G |
单电源,双路运算放大器 |
2017-09-05 |
|
 |
LP2951ACDM-3.0RG |
3V固定输出,100mA,低功耗,低压差稳压器 |
2017-09-05 |
|
 |
NLVHC4538ADTR2G |
双精度单稳态多谐振荡器只要你殺 |
2017-09-05 |
|
 |
NLVHC1G32DFT2G |
单2输入或门 |
2017-09-05 |
|
 |
NCV8114ASN150T1G |
1.5V固定输出,300mA,LDO稳压器(汽车级) |
2017-09-05 |
|
 |
NCV8114ASN300T1G |
3.0V固定输出,300mA,LDO稳压器(汽车级) |
2017-09-05 |
|
 |
N24C64UVTG |
64Kb(8k x 8),I2C,CMOS串行EEPROM |
2017-09-05 |
|
 |
NCP456RFCCT2G |
低压轨,2A,单负载而且我感覺开关】 |
2017-09-05 |
|
 |
SBC856BWT1G |
-66V,-100mA,PNP型死神通用双极晶体管 |
2017-09-05 |
|
 |
NCV20061SQ3T2G |
单路,3MHz,125A,低功耗运算放大器 |
2017-09-05 |
|
 |
NSPM5131MUTBG |
13.5V,单向ESD和浪涌保我通靈寶樓护器件 |
2017-09-05 |
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 |
NLHV4051DTR2G |
8:1,500Ω(Ron),模拟多路复用器/解复用器 |
2017-09-05 |
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 |
15C02CH-TL-E |
15V,1A,低VCE(sat)NPN型双极晶体管 |
2017-09-05 |
|
 |
CAT824MTDI-GT3 |
带看门狗和→手动复位的系统电压监控 |
2017-09-05 |
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 |
NCP431AVLPRAG |
可编程精密电压参¤考 |
2017-09-05 |
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 |
30A02CH-TL-E |
-30V,-0.7A,低VCE(sat)单PNP型双极晶体管 |
2017-08-17 |
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 |
NCS2003ASN2T1G |
单路7MHz,高压摆率,轨到轨输出,运算放大器 |
2017-08-17 |
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 |
NCP81234MNTXG |
具有双回路功能,可配置,DrMOS兼容的多相控制器 |
2017-08-17 |
|
 |
30A02MH-TL-H |
-30V,-0.7A,低VCE(sat),单PNP型双极晶体管 |
2017-08-17 |
|
 |
MC74VHCT14ADTR2G |
带施密特触发器输入的六反相器少主這次來 |
2017-08-17 |
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NCS2004SQ3T2G |
单路3.5MHz,宽电源轨对轨通用运微微呼了口氣算放大器 |
2017-08-17 |
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NOIL1SE3000A-GDC |
3百万像素,485FPS,13.3Gb,高速CMOS图像传感器 |
2017-08-17 |
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MUN5113T1G |
50V,100mA,PNP型双极数字晶体管(BRT)(R1=R2=47kΩ) |
2017-08-11 |
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CAT24C04HU4I-GT3 |
4Kb,I2C串行EEPROM存储器 |
2017-08-11 |
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NCP1079BAP065G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2017-07-26 |
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NJVMJB41CT4G |
100V,6A,NPN型双极功率晶体管 |
2017-07-26 |
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NCP1076AAP065G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2017-07-26 |
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N24C02UDTG |
2Kb I2C CMOS串行EEPROM |
2017-07-26 |
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NCS20032DTBR2G |
低电压,轨到轨输出,高压摆率,运算放大器 |
2017-07-26 |
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NLV14504BDR2G |
十六进◣制电平转换器 |
2017-07-26 |
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NCP12510BSN65T1G |
用于离线电源的电流模式PWM控制器 |
2017-07-19 |
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NVD5407NT4G |
40V,26mΩ,38A,单N沟道功率MOSFET |
2017-07-10 |
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NIS5431MT1TXG |
3.3V,电子保险丝 |
2017-06-19 |
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NCP134AMX080TCG |
具有偏置轨道的0.8V固定输出,0.5A,极低压差CMOS线性稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP137BFCTADJT2G |
具有偏置轨道的可调输出,0.7A,极低压差CMOS线性稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP139AFCT180T2G |
具有偏置轨道的1.8V固定输出,1A,极低压差CMOS线性稳压器 |
2017-06-02 |
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NCV8160AMX180TBG |
用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,250mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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NCV8161AMX180TBG |
用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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NCV8161AMX280TBG |
用于射频和模拟电路的2.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP140AMXD280TCG |
无电容,2.8V固定输出,150mA,极低压差CMOS稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP140AMXD330TCG |
无电容,3.3V固定输出,150mA,极低压差CMOS稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP5106AMNTWG |
高电压,高和低边MOSFET/IGBT驱动器 |
2017-06-02 |
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NCP5106BMNTWG |
高电压,高和低边MOSFET/IGBT驱动器 |
2017-06-02 |
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NCP5109AMNTWG |
双输入,200V高电压,高和低边MOSFET/IGBT驱动器 |
2017-06-02 |
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NCP5109BMNTWG |
双输入,200V高电压,高和低边MOSFET/IGBT驱动器 |
2017-06-02 |
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NCP1594AMNTXG |
2.9~5.5V输入,4A,2MHz高效率同步降压转换器 |
2017-06-02 |
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DTA144WET1G |
PNP双极数字晶体管(R1=47kΩ,R2=22kΩ) |
2017-05-23 |
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NCP140AMXD180TCG |
无电容,1.8V固定输出,150mA,极低压差CMOS稳压器 |
2017-05-10 |
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NCP163AMX500TBG |
用于射频和模拟电路的5.0V固定输出,250mA,LDO稳压器 |
2017-05-10 |
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NB3L204KMNG |
2.5V,3.3V,差动1:4 HCSL扇出缓冲器 |
2017-04-19 |
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NCP59800BMNADJTBG |
可调输出,1A,低噪声,RF低压差稳压器 |
2016-12-09 |
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